Qorvo 采用一流的超低噪声 0.13 µm pHEMT 和 0.25 µm E-pHEMT 工艺提供广泛的分立式晶体管组件。这些分立式设备让客户能够在设计低噪声放大器 (LNA) 电路时掌握全面控制权。各种分立式 FET 可以提供低至 0.15 dB 的噪声系数，可用于高达 22 GHz 的范围。还可提供成对晶体管，非常适合均衡的 LNA 设计。
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